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参考解答
4j8***103
2024-11-24 04:33:24
正确答案：场效应管的电流方程为ID=k(k一VTH(P))2 (2．4．1)对于图(a)将VGS=一IDRS=450ID、VP=一2V代入上式并求解可得
显然第二个解不合理应舍去。故电路(a)的工作点Q为
对于图(b)VP=一4VVGS为
将其代入式(2．4．1)并求解得到
显然第二个解不合理应舍去。故电路(b)的工作点Q为
图2．4．9(a)为自给偏置电路，仅适用于耗尽型FET，图(b)为混合偏置偏置电路，可用于任何类型的FET。两中偏置电路的主要区别在于前者的VGS仅由源极电位VS确定，即VGS=一VS，后者的VGS由栅极电位VG和源极电位VS共同确定，即VGS=VG一VS。无论何种偏置电路，只要将它们分别代入场效应管的电流方程求解即得所求静态工作点。
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