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计算图2．4．10(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0．5mA／V2，VP=一2V。 
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
参考解答
420***103
2024-11-24 04:22:09
正确答案：对于电路(a)有
于是得到VCEQ=VC一VE=VC+VBE=3．93+0．7=4．63(V)对于电路(b)有VGS=VSS一ISSRSS=10一2IDRSS将其代入式(2．4．1)并求解得到
差分放大器电路一般均具有对称性结构，不对称差放性能差，没有实用意义。故分析差放均可按对称电路处理。本例图(a)电路中VT1虽然少用了一个集电极电阻RC，但它只影响该管的集电极电压而不影响集电极电流，故它对差放的其他性能没有影响，仍可将其视为对称差放。另外，电路(a)为单端输出，应注意负载RL对VT2的静态工作点电压有影响。
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