对于p型半导体 在杂质电离区 证明 并分别求出p0＜＜NA和ND＜＜p0＜＜NA两种情况下 空穴密
对于p型半导体，在杂质电离区，证明 
并分别求出p0＜＜NA和ND＜＜p0＜＜NA两种情况下，空穴密度p0和费米能级EF的值，说明它们的物理意义。式中g是受主能级的自旋简并度(g=2)。
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参考解答
490***100
2024-11-05 20:59:39
正确答案：解：对于有补偿的p型半导体实际上施主完全被补偿只需考虑受主和价带交换空穴的过程。在非简并情况下容易写出：
这是低温弱电离情况而且补偿的施主又很少(极限情况NA=0)。在这种条件下施主杂质的影响是可以忽略的和只有一种受主存在弱电离的情况完全相同。
解：对于有补偿的p型半导体,实际上施主完全被补偿,只需考虑受主和价带交换空穴的过程。在非简并情况下,容易写出：这是低温弱电离情况,而且补偿的施主又很少(极限情况NA=0)。在这种条件下,施主杂质的影响是可以忽略的,和只有一种受主存在弱电离的情况完全相同。
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