证明补偿型n型半导体中 在杂质电离区 当n＞＞NA时 下面的关系式成立： 请帮忙给出正确答案和分析
证明补偿型n型半导体中，在杂质电离区，当n＞＞NA时，下面的关系式成立： 
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
参考解答
420***100
2024-11-05 20:49:53
正确答案：解：对于补偿的半导体同时含有施主杂质和受主杂质。在低温下由价带和施主提供的总电子数为p+ND-nD+古。补偿时这些电子一部分填充受主能级数量为NA-PA-(受主上的空穴浓度)另一部分激发到导带数量为n。故电中性条件为
解：对于补偿的半导体,同时含有施主杂质和受主杂质。在低温下,由价带和施主提供的总电子数为p+ND-nD+古。补偿时,这些电子一部分填充受主能级,数量为NA-PA-(受主上的空穴浓度),另一部分激发到导带,数量为n。故电中性条件为
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