硼的密度分别为NA1和NA2(NA1＞NA2)的两个硅样品 在室温条件下： (1)哪个样品的少子密度

正确答案：解：为了使问题简单明确(当然也是实际工作中常遇到的情况)我们假定N_A1和N_A2都远大于室温下的本征载流子密度即讨论杂质饱和电离的情况。 (1)掺硼的硅是P型样品。在饱和电离时少子密度n₀=n_i²／N_A。因为N_A1>N_A2所以n₀₂＞n₀₁即硼的密度为N_A1的样品少子密度低。 (3)假设N_A2-N'_D＞＞n_i即有反型杂质补偿的情况下样品仍然处于饱和电离区。由于在两个样品中有效的受主密度都减小了所以它们的E_F与价带顶的距离都变大了不过仍然是密度为N_A1的样品的E_F离价带顶近。
解：为了使问题简单明确(当然也是实际工作中常遇到的情况),我们假定NA1和NA2都远大于室温下的本征载流子密度,即讨论杂质饱和电离的情况。(1)掺硼的硅是P型样品。在饱和电离时,少子密度n0=ni2／NA。因为NA1>NA2,所以n02＞n01,即硼的密度为NA1的样品少子密度低。(3)假设NA2-N'D＞＞ni,即有反型杂质补偿的情况下,样品仍然处于饱和电离区。由于在两个样品中有效的受主密度都减小了,所以它们的EF与价带顶的距离都变大了,不过仍然是密度为NA1的样品的EF离价带顶近。