在一掺硼的非简并p型硅中 含有一定浓度的铟 室温下测出空穴浓度p0=1.1×1016cm-3。已知掺

大学本科 已帮助: 时间:2024-11-05 18:45:27

在一掺硼的非简并p型硅中,含有一定浓度的铟,室温下测出空穴浓度p0=1.1×1016cm-3。已知掺硼浓度NA1=1016cm-3其电离能△EA1=EA1-Ev=0.046eV,铟的电离能△EA2=EA2-Ev=0.16eV,试求这种半导体中含铟的浓度。室温下硅的Nv=1.04×1019cm-3。
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难度:⭐⭐⭐

题库:大学本科,理学,物理学类

标签:电离能,室温,浓度

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