组分i j之间不能分离的条件是( )。A．分离因子大于1B．分离因子小于1C．分离因子等于1请帮忙给

参考解答

473***100

2024-11-05 21:06:32



相似问题

• 对于p型半导体 在杂质电离区 证明 并分别求出p0＜＜NA和ND＜＜p0＜＜NA两种情况下 空穴密

  对于p型半导体，在杂质电离区，证明 并分别求出p0＜＜NA和ND＜＜p0＜＜NA两种情况下，空穴密度p0和费米能级EF的值，说明它们的物理意义。式中g是受主

• 证明补偿型n型半导体中 在杂质电离区 当n＞＞NA时 下面的关系式成立： 请帮忙给出正确答案和分析

  证明补偿型n型半导体中，在杂质电离区，当n＞＞NA时，下面的关系式成立： 请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！

• 分离过程是一个( )。A．熵减少的过程B．熵增加的过程C．熵不变化的过程D．自发过程请帮忙给出正确答

  分离过程是一个( )。A．熵减少的过程B．熵增加的过程C．熵不变化的过程D．自发过程请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！

• 当分离因子( )表示组分i及j之间能实现一定程度的分离。A．αij=1B．αijs=1C．αijs＜

  当分离因子( )表示组分i及j之间能实现一定程度的分离。A．αij=1B．αijs=1C．αijs＜1请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！

• 硼的密度分别为NA1和NA2(NA1＞NA2)的两个硅样品 在室温条件下： (1)哪个样品的少子密度

  硼的密度分别为NA1和NA2(NA1＞NA2)的两个硅样品，在室温条件下： (1)哪个样品的少子密度低? (2)哪个样品的EF离价带顶近? (3)如果再掺人少量的磷(磷的