晶体管主要产生哪几种噪声 各有什么特点?请帮忙给出正确答案和分析 谢谢！
晶体管主要产生哪几种噪声，各有什么特点?
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
参考解答
413***103
2024-11-24 19:45:17
正确答案：晶体管噪声的主要来源为热噪声、散弹噪声、分配噪声和闪烁噪声等。热噪声是白噪声但与电流无关；散弹噪声属于白噪声其强度与直流电流成正比；分配噪声不是白噪声其功率密度随工作频率而变化频率越高噪声越大；闪烁噪声是低频噪声在高频时可以忽略。
晶体管噪声的主要来源为热噪声、散弹噪声、分配噪声和闪烁噪声等。热噪声是白噪声,但与电流无关；散弹噪声属于白噪声,其强度与直流电流成正比；分配噪声不是白噪声,其功率密度随工作频率而变化,频率越高噪声越大；闪烁噪声是低频噪声,在高频时可以忽略。
相似问题
已知某普通调幅波的载频为640kHz 载波功率为500kW 调制信号频率允许范围为20Hz～4kHz
已知某普通调幅波的载频为640kHz，载波功率为500kW，调制信号频率允许范围为20Hz～4kHz。试求： (1)该调幅波占据的频带宽度。 (2)该调幅波的调幅系数平
N沟道增强型MOS管的衬底是__________型杂质半导体 源区和漏区是型杂质半导体。它的导电沟道
N沟道增强型MOS管的衬底是__________型杂质半导体，源区和漏区是型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS产生的_________-形成的，增强型管子的含义是__
有人测得晶体管的VBE=0．6V时 IB=10μA VBE=0V时 IB=0 由此推算得到rπ=△V
有人测得晶体管的VBE=0．6V时，IB=10μA，VBE=0V时，IB=0，由此推算得到rπ=△VBE／△IB=(0．6一0)V／(10—0)μA=60kΩ。 ( )此题为判断题(对，错)。请
图题5—25所示电路中 R1=4．7kΩ R2=15kΩ 输入信号电压Ui=1．2V 检波效率设为0
图题5—25所示电路中，R1=4．7kΩ，R2=15kΩ，输入信号电压Ui=1．2V，检波效率设为0．9。求输出电压最大值并估算检波器输入电阻Rin。 请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
用MOSFET组成如图1．4．15所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0．05mA／V2 VT
用MOSFET组成如图1．4．15所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0．05mA／V2，VTH=3V。若输入信号V1=100mV时，要求输出电压Vo=60mV，问此时应给FET加多
