用MOSFET组成如图1.4.15所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2 VT

大学本科 已帮助: 时间:2024-11-24 19:23:20

用MOSFET组成如图1.4.15所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2,VTH=3V。若输入信号V1=100mV时,要求输出电压Vo=60mV,问此时应给FET加多大的栅极电压VG?

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难度:⭐⭐⭐

题库:大学本科,工学,电气信息类

标签:栅极,多大,电压

参考解答

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473***103

2024-11-24 19:23:20

正确答案:由题意可知ID=40mV/5kΩ=8μAVo=VDS=60mV利用变阻区的电流方程ID=k[2(VGS一VTH)VDS一VDS2可解得此时漏、源极间等效电阻约为7.5kΩ分压比为0.6。
用场效应管组成分压器,管子漏极与源极之间的等效电阻应受栅极电压控制,故FET应工作在变电阻区,此时要采用FET在变电阻区的电流方程,而不能用饱和区的电流方程。此点应注意。

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