N沟道增强型MOS管的衬底是__________型杂质半导体 源区和漏区是型杂质半导体。它的导电沟道

大学本科 已帮助: 时间:2024-11-24 19:42:09

N沟道增强型MOS管的衬底是__________型杂质半导体,源区和漏区是型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS产生的_________-形成的,增强型管子的含义是_________。
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难度:⭐⭐⭐

题库:大学本科,工学,电气信息类

标签:沟道,杂质,半导体

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481***103

2024-11-24 19:42:09

正确答案:P、N、内电场、VGS需要达到开启电压时才导电。
P、N、内电场、VGS需要达到开启电压时才导电。

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