N沟道增强型MOS管的衬底是__________型杂质半导体 源区和漏区是型杂质半导体。它的导电沟道
N沟道增强型MOS管的衬底是__________型杂质半导体,源区和漏区是型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS产生的_________-形成的,增强型管子的含义是_________。
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参考解答
正确答案:P、N、内电场、VGS需要达到开启电压时才导电。
P、N、内电场、VGS需要达到开启电压时才导电。
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