解释以下现象： (1)LiF电绝缘体； (2)纯的NiO是浅绿色电绝缘体 在空气中加热 变黑成为半导

正确答案：(1)Li和F的价态分别为+1和-1在LiF中没有额外的电子或空穴价带与导带之间的带隙很大(>4 eV)导带电子浓度很低。 (2)纯的NiO中含有Ni²⁺离子d⁸电子局域在单个离子上没有导电性浅绿色是由于d—d跃迁造成的。在空气中加热发生氧化吸收少量的氧气形成Ni_1-δO其中含有Ni²⁺和Ni³⁺离子导电性与Ni离子的混价有关。(3)在TiO中邻近Ti²⁺之间t_2g轨道重叠产生部分占据的t_2g带和金属导电性。在MnO中t_2g轨道重叠有限存在孤立的Mn²⁺电子在邻近的Mn²⁺离子之间跳跃导致半导体性质。在NiO中t_2g能带是满带由于O^2-的阻碍半满的e_g能级不能重叠形成e_g带因此Ni²⁺是孤立的无导电性。这种性质上的差异来源于后过渡金属离子的核电荷的增加使得3d电子束缚于单个离子周围(它们的离子半径也相应减小)。
(1)Li和F的价态分别为+1和-1,在LiF中,没有额外的电子或空穴,价带与导带之间的带隙很大(>4eV),导带电子浓度很低。(2)纯的NiO中含有Ni2+离子,d8电子局域在单个离子上,没有导电性,浅绿色是由于d—d跃迁造成的。在空气中加热,发生氧化,吸收少量的氧气,形成Ni1-δO,其中含有Ni2+和Ni3+离子,导电性与Ni离子的混价有关。(3)在TiO中,邻近Ti2+之间t2g轨道重叠,产生部分占据的t2g带和金属导电性。在MnO中,t2g轨道重叠有限,存在孤立的Mn2+,电子在邻近的Mn2+离子之间跳跃导致半导体性质。在NiO中,t2g能带是满带,由于O2-的阻碍,半满的eg能级不能重叠形成eg带,因此Ni2+是孤立的,无导电性。这种性质上的差异来源于后过渡金属离子的核电荷的增加,使得3d电子束缚于单个离子周围(它们的离子半径也相应减小)。