(15分)Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体 以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所
(15分) Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体,以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题: ![]() (1)下列说法正确的是__________(填序号)
(3)AsH3空间形状为___________;已知(CH3)3Ga为非极性分子,则其中镓原子的杂化方式为____________; Ⅱ.金属铜的导电性仅次于银,居金属中的第二位,大量用于电气工业。 (4)请解释金属铜能导电的原因 , Cu2+的核外电子排布式为__________________________。 (5)在硫酸铜溶液中通入过量的氨气,小心蒸发,最终得到深蓝色的[Cu(NH3)4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外,还有 和 。 |
参考解答
(15分) (1)BC (2分) (2)(CH3)3Ga + AsH3 ![]() (3)三角锥. (2分) sp2 (2分) (4)铜是金属晶体,由金属阳离子和自由电子构成,自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动(2分) [Ar]3d9或1s22s22p63s23p63d 9 (2分) (5)离子键,(1分) 配位键 (1分) |
略 |
相似问题
(12分)有A B C D E F六种元素 已知:它们位于三个不同的短周期 核电荷数依次增大;A与E
(12分)有A、B、C、D、E、F六种元素,已知:它们位于三个不同的短周期,核电荷数依次增大;A与E、B与F分别同主族;A、E分别都能与D按原子个数1∶1或2∶1
以下有关金属晶体的说法不正确的是A.金属晶体是由金属阳离子和自由电子构成的 它们都占据在晶胞的一定位
以下有关金属晶体的说法不正确的是A.金属晶体是由金属阳离子和自由电子构成的,它们都占据在晶胞的一定位置上B.六方最密堆积和面心立方最密堆积的空间
耐火材料是一类熔点很高且经济的物质 下列常用作耐火材料的一组化合物是( )①金刚石 ②石墨
耐火材料是一类熔点很高且经济的物质,下列常用作耐火材料的一组化合物是( )①金刚石 ②石墨 ③石英 ④硅酸钙 ⑤碳酸钙 ⑥氧化镁 ⑦氧化铝 ⑧冰
某离子晶体中晶体结构最小的重复单元如图:A为阴离子 在正方体内 B为阳离子 分别在顶点和面心 则该晶
某离子晶体中晶体结构最小的重复单元如图:A为阴离子,在正方体内,B为阳离子,分别在顶点和面心,则该晶体的化学式为A.B2AB.BA2C.B7A4 D.B4A7
关于氢键 下列说法中 正确的是 ( ) A.氢键比范德华力强 所以它属于化学键B
关于氢键,下列说法中,正确的是 ( ) A.氢键比范德华力强,所以它属于化学键B.分子间形成的氢键使物质的熔点和沸点升高C.含氢原子的物质之间均可形
